S-RAM ده نانومتری
سامسونگ حافظه‌ای ساخت که موبایل‌ها را کوچک‌تر می‌کند
سامسونگ به تازگی اعلام کرد که در حال توسعه ماژول‎های S-RAM مبتنی بر فناوری FinFET ده نانومتری است، که نتیجه آن SoCهای کوچک‎تر با مزایای آشکار برای تلفن‎های هوشمند است. این خبر را می‎توان نوعی زنگ خطر برای سایر رقبای سامسونگ دانست. بر اساس گزارشات ETnews، توسعه FinFET S-RAM ده نانومتری به این معنا است که این شرکت نه تنها در مقابل شرکت تولید نیمه‎ هادی تایوان (TSMC) قلد علم کرده است بلکه غول تولید تراشه یعنی اینتل را نیز به چالش خواهد کشید.

ماژول‎های S-RAM جدید سامسونگ برای کش پردازنده مورد استفاده قرار خواهند گرفت، و این فناوری FinFET جدید ده نانومتری ظاهرا 37.5 درصد کوچک‎تر از S-RAM چهارده نانومتری است. این به معنای عملکرد بهتر و مصرف انرژی پایین‎تر خواهد بود و این امید را ایجاد خواهد کرد تا به دستاوردهای خوبی در زمینه طول عمر باتری برسیم. سامسونگ امیدوار است که این فناوری تا سال 2017 برای تولید انبوه ماژول‎های حافظه ده نانومتری آماده شود و تا آن تاریخ باید منتظر باشیم و ببینیم آیا این وعده به واقعیت خواهد پیوست.

مطلب پیشنهادی: چگونه عکس‌ها را از روی کارت حافظه SD خراب بازیابی کنیم

آن چه مسلم است این است که سامسونگ تلاش زیادی در راستای توسعه تراشه‎ها از خود نشان می‎دهد و گواه آن هم همین ماه سپتامبر گذشته بود که با راه اندازی یک دفتر مرکزی جدید در سیلیکون ولی تلاش خود برای تحقيق و توسعه در زمینه نیمه هادی‎ها و نمایشگرها را دو چندان کرد.

در مراسم بازگشایی این دفتر مرکزی جدید، نایب رئیس و مدیر عامل سامسونگ الکترونیکس، او هیون کان اشاره کرد که این شرکت بستر لازم برای رشد تصاعدی فناوری برای چند دهه آینده را فراهم کرده است. می‎توان امیدوار بود که این انگیزه برای سرعت بخشیدن به تحقیق و توسعه در زمینه فناوری‎های نوظهور در بین سایر رقبای سامسونگ نیز مشاهده شود و ما در آینده شاهد رشد روزافزون در کل این صنعت باشیم.

برچسب: