این شركت به تازگی یک تراشه NAND سه بعدی 256 گیگابایتی را با سلولهای سه بیتی در 48 لایه در ژاپن و با همکاری شرکت توشیبا تولید کرده است. این تراشه اولین نمونه در نوع خود در جهان است و سندیسک را قادر ساخته تا در حوزه چگالی و ظرفیت سایر رقبای خود را کنار بزند.
البته ذکر این نکته حائز اهمیت است که به کار بردن عبارت «اولین در دنیا» مربوط به لایهبندی تراشه میشود نه ظرفیت آن. میکرون و اینتل هم اخیرا یک تراشه NAND سه بعدی 256 گیگابایتی را معرفی کرده بودند، اما این تراشه تنها 32 لایه داشت. افزایش تعداد لایهها به این دليل از اهمیت برخوردار است زیرا انباشتگی عمودی امکان کاهش عرض و پهنا را فراهم میکند و همین باعث کوچکتر شدن کلی تراشه میشود. این کاهش اندازه به این معنا است که سختافزار سندیسک به راحتی میتواند در محلهایی که سایر هارددرایوهای حالت جامد با ظرفیت مشابه قادر به آن نیستند، قرار گیرد.
به نظر میرسد فناوری 3D NAND (که در برخی موارد با عنوان Vertical NAND یا به اختصار V-NAND هم شناخته ميشوند) آینده درایوهای حالت جامد پر ظرفیت را شکل خواهد داد. این فناوری جدید امکان افزایش چگالی دادهها را فراهم خواهد کرد و این به این معنا است که SSDها میتوانند کمبود ظرفیت خود را نسبت به هارد دیسکهای مکانیکی تا حد زیادی جبران کنند.
از طرف دیگر باید توجه داشت كه 3D NAND تنها فناوری جدید در زمینه ذخیرهسازی اطلاعات نیست. اینتل و میکرون اخیرا فناوری 3D XPoint را معرفی کردند، یک شیوه کاملا جدید و غیرمرتبط با NAND برای ذخیرهسازی که وعده داده عملکرد و دوام خواندن و نوشتن داده در آن به مراتب کارآمدتر و سریعتر خواهد بود. هنوز جزئیات بسیار کمی در مورد 3D XPoint منتشر شده است و به نظر میرسد تولید اولین نمونههای آن بسیار گران قيمت باشد.
علاقمندان به این تراشه 256 گیگابایتی سندیسک لازم نیست زیاد منتظر بمانند، این تراشه از اوایل سال آینده در سبد محصولات سن دیسک قرار خواهد گرفت.