مطابق این خبر، پردازندههای حرفهای به ویژه اسنپدراگون 835 با استفاده از تکنولوژی و لیتوگرافی 10 نانومتر FinFET سامسونگ ساخته میشوند. ماه اکتبر سامسونگ نمونههای صنعتی ار تزاشههای 10 نانومتری با فناوری FinFET را معرفی کرد. این تراشهها 30 درصد راندمان و 27 درصد کارآیی بیشتری را نسبت به نمونههای 14 نانومتری ارائه کرده و مصرف انرژی آن نیز 40 درصد کمتر است.
مدیر محصول شرکت کوالکام درخصوص این همکاری گفت: «ما هیجانزده هستیم چون میخواهیم با سامسونگ الکترونیکس برای ارتقای صنعت تلفن همراه بکوشیم. استفاده از نودهای 10 نانومتر برای تولید اسنپدراگون 835 موجب میشود که پردازندهای قدرتمند، کارآمد و انعطافپذیرتری را در اختیار سازندگان تلفنهای همراه قرار دهیم. همچنین افزودن قابلیتهای جدید به این پردازنده میتواند تجربه کاربران را از کار با تلفنهای همراه آینده رضایتبخشتر کند.»
با نودهای 10 نانومتری، اندازه Die تراشه مجتمع اسنپدراگون 835 کوچکتر میشود و مصرف کمتر انرژی آن نیز میتواند نیاز به باتریهای بزرگ در موبایلها و تبلتهای مجهز به این تراشه را برطرف کرده و در نتیجه، فضای بیشتری در اختیار سازندگان دستگاههای هوشمند قرار میگیرد. قرار است که اسنپدراگون 835 نیمه اول 2017 در اختیار سازندگان دستگاههای هوشمند قرار گیرد.